铭芯启睿完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片

AI 摘要

铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片基于1TnR技术路线，采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，存储密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。 铭芯启睿称，这是1TnR技术从早期研究走向Gb级产品化的里程碑。芯片尚未完成验证，实际性能有待验证结果确认。

2 个来源2 篇报道最新 2026-10-14 07:54 UTC

报道

1. 铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：28nm 工艺、1T4R 结构，密度 30Mb/mm²

   IT之家2026-10-14 07:54 UTC

2. MemSilicon 完成国际首款 1T4R 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片

   量子位2026-10-14 06:24 UTC

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